Криптолемус

Криптоле'мус(Cryptolaemus montrouzieri), жук семейства божьих коровок.Длина тела 3-4 мм:голова, переднеспинка и вершины надкрылий красно-жёлтые, остальное тело чёрное. Естественный истребитель червецов-вредителей многих культурных растений. Родина - Австралия; ввезён в ряд стран. В СССР (в Абхазию) завезён в 1933 для борьбы с опаснейшим вредителем мандаринов - цитрусовым мучнистым червецом; позднее - для борьбы с др. видами червецов. Самки К. откладывают до 300 яиц в яйцекладки червеца; вышедшие личинки поедают яйца червеца; взрослые личинки и жуки питаются червецами и их личинками. В Абхазии даёт 3 поколения в год. К. плохо переносит температуру ниже 0°, поэтому на Кавказе его размножают зимой в лабораториях и выпускают жуков в сады и на плантации во время появления яйцекладок 1-го поколения червецов. �спользовать можно лишь в условиях влажного климата.

Криптомерия

Криптоме'рия(Cryptomeria japonica), вечнозелёное хвойное дерево семейства таксодиевых. Стройный ствол высотой около 50 мс узкой густой кроной. Кора коричневато-красная волокнистая. Листья спирально расположенные, светло-зеленые, линейно-шиловидные, искривленные у основания. Семенные шишки почти шаровидные, диаметр около 2 см,коричневатые. одиночные, созревают в 1-й год и остаются на дереве после рассеивания семян. Родина - Япония и Китай, где в горах образует чистые насаждения. К. выращивают в садах и парках, в СССР - на Черноморском побережье Кавказа и в Крыму. Древесина мягкая, лёгкая, устойчива к гниению, иногда с красивым рисунком, легко поддаётся обработке.

  Лит.:Деревья и кустарники СССР, т.1, М.- Л., 1949; Dallimore W., Jackson A. B., Ahandbook of Coniferae including Ginkgoaceae, [4 ed.], L., 1966.

Криптон

Крипто'РЅ(лат. Kryptonum), Kr, химический элемент VIII РіСЂСѓРїРїС‹ периодической системы Менделеева, относится Рє инертным газам,атомный номер 36, атомная масса 83,80. РќР° Земле присутствует главным образом РІ атмосфере. Атмосферный Рљ. состоит 113 смеси 6 стабильных изотопов, среди которых преобладает ⁸⁴РљРі (56,90%). Открыт РІ 1898 РЈ. Рамзаем Рё Рњ. Траверсом РїСЂРё спектроскопическом изучении труднолетучих фракций жидкого РІРѕР·РґСѓС…Р°; назван Рљ. (РѕС‚ греч. kryptСѓs - скрытый). РџСЂРё нормальных условиях 1 Рј ³РІРѕР·РґСѓС…Р° содержит около 1 СЃРј ³Рљ.

В  Рљ. - одноатомный газ без цвета Рё запаха; плотность РїСЂРё 0°С Рё 100 РєРЅ/Рј ²(760 РјРј СЂС‚. cm.) 3,745 Рі/Р», t _РїР»- 157,1°С, t _kРёРї- 153,2°С. Р’ твёрдом состоянии Рљ. обладает кубической решёткой СЃ параметром Р°=5,706СЉ (-184 °С). После синтеза РІ 1961 фторида ксенона было установлено, что Рё Рљ. способен вступать РІ химические реакции. Р’ частности, РїСЂРё взаимодействии Рљ. Рё фтора (например, РІ электрическом разряде) можно получить фториды KrF ₄или KrF ₂, устойчивые только РїСЂРё пониженной температуре. Действием раствора Ba (OH) ₂РЅР° KrF ₄получен криптонат бария ВаКгО ₄. Как Рё РґСЂСѓРіРёРµ инертные газы, Рљ. образует соединения включения:KrВ·6Ha ₂O, KrВ·3C ₆H ₅OH Рё РґСЂ.

  Получают К. при разделении воздуха. Применяют главным образом в электровакуумной технике. Криптоновые лампы накаливания служат дольше обычных (с атмосферой азота или аргона), т. к. тяжёлые атомы К. в большей степени препятствуют испарению атомов вольфрама с поверхности раскалённой нити. Электрический разряд в трубках с разрежённым К. сопровождается белым свечением.

  С. С. Бердоносов.

Криптоновая лампа накаливания

Крипто'новая ла'мпа нака'ливания, лампа накаливания электрическая, колба которой наполнена инертным газом криптоном. Благодаря большей атомной массе криптона, чем у обычно применяемой газовой смеси (85% аргона и 15% азота), скорость распыления вольфрамовой нити тела накала К. л. н. при такой же температуре меньше. Возможность повышения температуры тела накала позволяет увеличить световую отдачу К. л. н. общего назначения при той же средней продолжительности горения на 15-20% по сравнению с обычными лампами той же мощности, а также уменьшить объём колбы. Уменьшение же объёма колбы лампы сокращает расход криптона и повышает давление в лампе, что также способствует дальнейшему снижению скорости испарения вольфрамовой нити. С целью уменьшения тепловых потерь через газ тело накала К. л. н. выполняется в виде биспирали. Наполнение криптоном применяется и для др. ламп накаливания (например, рудничных и автомобильных), которым необходима возможно большая световая отдача при минимальных размерах.

  В. М. Скобелев.

Крипторхизм

Крипторхизм(от крипто... и греч. уrchis - яичко), аномалия развития человека и некоторых животных (лошади, собаки и др.), при которой яичко при внутриутробном развитии плода не опустилось до своего нормального положения на дно мошонки. Образование сперматозоидов в неспустившемся яичке может быть понижено либо отсутствовать. У человека односторонний К. обычно обусловлен внутрибрюшными сращениями, укорочением семявыносящих протоков, недоразвитием внутренней семенной артерии, узостью пахового канала и т. д. Двусторонний К. обычно связывают с нарушениями гормонального баланса, недостаточностью гонадотропных гормонов и наследственно-биологическими факторами. В зависимости от задержки яичка в полости живота или в паховом канале различают брюшной и паховый К. В ряде случаев к 10-12 годам яичко опускается в мошонку, поэтому у взрослых мужчин К. наблюдается всего в 0,3% случаев, а у детей и подростков (к периоду полового созревания) - в 2-3%.

  Лечение: в детском возрасте - гормонотерапия, способствующая ускорению развития яичка (гонадотропный гормон гипофиза, андрогены); при безрезультатности - хирургическое.

  В. Г. Цомык.

Криптостоматы

Криптосто'маты(Cryptostomata), отряд ископаемых мшанок.Колонии К. небольших размеров (до 15 см) ,преимущественно сетчатой формы, реже ветвистой, пластинчатой. �звестковый скелет пронизан системой капилляров. 3 подотряда включают 10 семейств (около 150 родов); были широко распространены в палеозое от ордовика до начала триаса; обитали в морях. Принимали участие в образовании рифов. �меют важное стратиграфическое значение.

  Лит.:Основы палеонтологии. Мшанки, брахиоподы, М., 1960; Астрова Г. Г., Морфология, история развития и система ордовикских и силурийских мшанок, М., 1965; Морозова �, П., Мшанки поздней перми, М., 1970.

Криптофиты

Криптофи'ты(от крипто... и греч. phytуn - растение), многолетние травянистые растения, у которых почки возобновления закладываются на корневищах, клубнях, луковицах и находятся под землёй (геофиты, например тюльпан) или под водой (гидрофиты). См. Жизненная форма.

Крипякевич �ван Петрович

Крипяке'вич�ван Петрович [25.6 (7.7).1886, Львов, - 21.4.1967, там же], советский историк, академик АН УССР (1958), заслуженный деятель науки УССР (1961). В 1908 окончил Львовский университет. С 1911 член историко-философской секции Научного товарищества им. Т. Г. Шевченко. После воссоединения Западной Украины с УССР (1939) К. - профессор и заведующий кафедрой истории Львовского университета. С 1951 заведующий отделом истории Украины института общественных наук АН УССР во Львове, с 1953 директор этого института. К. - автор многих работ по истории Украины периода феодализма. Его работы до 40-х гг. носят отпечаток влияния концепций школы М. С. Грушевского.В сов. время К. опубликовал ряд исследований, главным образом по истории народно-освободительной войны 1648-54.

  Соч.: Богдан Хмельницький, К., 1954; Звязки 3axiдної України з Pociєю) до сер. XVII ст., К., 1953.

РљСЂРёСЃ

Крис(малайск. kris), холодное оружие многих народов Малайзии и �ндонезии - стальной кинжал с пламевидным или змеевидным изгибами лезвия и богато украшенной рукояткой из дерева, кости, рога. В прошлом К. был обязательной принадлежностью мужского костюма. В годы колониального господства право носить его сохранили лишь представители аристократии и деревенской администрации. Ныне К. хранят в семьях как фамильную ценность.

Криспи Франческо

Кри'спи(Crispi) Франческо (4.10.1818, Рибера, Сицилия, - 11.8.1901, Неаполь), итальянский государственный деятель, адвокат. В период Рисорджименто-участник Революции 1848-49, сподвижник Дж. Гарибальди по экспедиции «Тысяча». После объединения �талии стал рьяным поборником монархии. В 80-х гг. - один из лидеров так называемой Левой - парламентской группировки итальянской буржуазии. Будучи в 1887-1891 и 1893-96 премьер-министром, К. в области внутренней политики проводил жёсткий антидемократический курс (реакционный закон об общественной безопасности 1889, кровавая расправа с восставшими крестьянами в Сицилии и рабочими в Масса-Карраре в 1893-94, запрещение социалистической партии в 1894-95 и т. д.). Внешняя политика К. характеризуется укреплением связей �талии с др. членами Тройственного союза 1882 и экспансией в Африке, где было начато создание колоний в Сомали (1889) и Эритрее (1890); однако провал попытки захватов в Эфиопии (1896) и политики «железного кулака» внутри страны вынудили К. уйти с политической арены,

  В. С. Бондарчук.

Кристаллизация

Кристаллиза'ция,образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химических реакциях. К. приводит к образованию минералов. К. воды играет важную роль в атмосферных и почвенных явлениях. К. лежит в основе металлургии, получения полупроводниковых, оптических, пьезоэлектрических и др. материалов, плёнок для микроэлектроники, металлических покрытий, широко используется в химической, пищевой, медицинской промышленности (очистка веществ, производство удобрений, соли, сахара, химикалиев, лекарств).

  Условия К.Если кристалл не плавится, не растворяется, не испаряется и не растет, то он находится в термодинамическом равновесии с маточной средой (расплавом, раствором или паром). Равновесие кристалла с расплавом того же вещества возможно лишь при температуре плавления Т _пл,а равновесие с раствором и паром - если последние насыщены. Пересыщение или переохлаждение среды - необходимое условие для роста погруженного в неё кристалла, причём скорость роста кристалла тем больше, чем больше отклонение от равновесия.

В  Рљ. - фазовый переход вещества РёР· состояния переохлажденной (пересыщенной) маточной среды РІ кристаллическое соединение СЃ меньшей энергией. Р�збыточная энергия выделяется РїСЂРё Рљ. РІ РІРёРґРµ скрытой теплоты Рљ. Часть этой теплоты может превращаться РІ механическую работу; например, растущий кристалл может поднимать положенный РЅР° него РіСЂСѓР·, развивая кристаллизационное давление РїРѕСЂСЏРґРєР° десятков РєР“/СЃРј ².Р’ частности, кристаллы солей, образующиеся РІ порах бетонных плотин РІ РјРѕСЂСЃРєРѕР№ РІРѕРґРµ, РјРѕРіСѓС‚ вызывать разрушение бетона.

  Выделение скрытой теплоты К. ведёт к нагреванию расплава, уменьшению переохлаждения и замедлению К., которая заканчивается исчерпанием вещества или достижением равновесных значений температуры, концентрации и давления.

  Зародыши К.Переохлажденная среда может долго сохранять, не кристаллизуясь, неустойчивое метастабильное состояние (например, мелкие, диаметром 0,1 ммкапли хорошо очищенных металлов можно переохладить до температуры ~ 0,8 Т _пл). Однако при достижении некоторого предельного для данных условий критического переохлаждения в жидкости или паре почти мгновенно возникает множество мелких кристалликов (зародышей). Происходит спонтанная К. Возникшие кристаллики растут и, т. к. переохлаждение уменьшается, новые зародыши, как правило, больше не возникают. Критическое переохлаждение зависит от температуры, концентрации, состава среды, её объёма, от присутствия посторонних частиц (например, пылинок, на которых образуются зародыши, кристалликов др. веществ и т. п.), от материала и состояния поверхности стенок сосуда, от интенсивности перемешивания, действия излучений и ультразвука.

  При зарождении атомы или молекулы кристаллизующегося вещества объединяются в кристаллические агрегаты. Объединение частиц в агрегат уменьшает свободную энергию системы, а появление новой поверхности - увеличивает. Чем меньше агрегат, тем большая доля его частиц лежит на поверхности, тем больше роль поверхностной энергии. Поэтому с увеличением размера rагрегата работа А, требующаяся для его образования, вначале увеличивается, а затем падает ( рис. 1 ). Агрегат, для которого работа образования максимальна, называется критическим зародышем ( r _кр). Чем меньше работа образования зародыша, тем вероятнее его появление. С этим связано преимущественное зарождение на посторонних частицах (в особенности заряженных), на поверхностях твёрдых тел и на их дефектах. Такое зарождение называется гетерогенным. При К. на поверхности твёрдого тела зарождение происходит преимущественно на неоднородностях поверхности. При этом кристаллики «декорируют» дефекты и неоднородности. Гомогенное зарождение в объёме чистой жидкости возможно лишь при очень глубоких переохлаждениях. С понижением температуры и с ростом переохлаждения уменьшается работа образования зародыша, но одновременно падает и вязкость жидкости, а с нею и частота присоединения новых частиц к кристаллическим агрегатам. Поэтому зависимость скорости зарождения от температуры имеет максимум ( рис. 2 ). При низких температурах подвижность частиц жидкости столь мала, что расплав твердеет, оставаясь аморфным, - возникает стекло.

  Выращивание крупных совершенных монокристаллов часто ведут из метастабильных растворов и расплавов, вводя в них небольшие затравочные кристаллы и избегая самопроизвольного зарождения. Наоборот, в металлургических процессах стремятся иметь максимальное число зародышей.

  Эпитаксия.Кристаллы, возникающие на поверхностях др. кристаллов, ориентированы относительно них закономерно. Например, при К. Au (из атомарного пучка) на поверхности кристалла NaCl кристаллики Au ориентированы параллельно грани NaCl либо гранями куба, либо гранями октаэдра. Явление ориентированного нарастания называется эпитаксией Эпитаксия из газовой фазы происходит, если температура подложки выше некоторой критической (если температура ниже, то кристаллики ориентированы хаотично) и сильно зависит от чистоты и дефектности подложки, состава окружающей среды, а также от предварительного облучения подложки электронами или рентгеновскими лучами. Подложка ориентирует кристаллики даже через тонкие (~1000ъ) плёнки угля, поливинилхлорида, окиси цинка, селена, если последние нанесены не в сверхвысоком вакууме.

 Эпитаксия используется для получения монокристаллических плёнок, применяемых, в частности, в микроэлектронике.При этом на монокристальной подложке образуются отдельные, одинаково ориентированные кристаллики, которые затем срастаются в сплошную плёнку. Чистота и совершенство подложки сильно влияют на качество плёнки и её структуру. Дефекты плёнки возникают на примесях, а также в местах срастания отдельных кристалликов.

  Рост кристаллов.�з слабо переохлажденных паров, растворов и реже расплавов кристаллы растут в форме многогранников. �х наиболее развитые грани обычно имеют простые кристаллографические индексы (см. Миллеровские индексы ) ,например для алмаза это грани куба и октаэдра. Взаимная ориентация граней, как правило, такова, что размер каждой из них тем больше, чем меньше её скорость роста. Т. к. скорость роста увеличивается с переохлаждением по-разному для разных граней, то с изменением переохлаждения меняется и облик (габитус) кристалла. Рост простых кристаллографических граней идёт послойно, так что края незавершённых слоев - ступени - движутся при росте вдоль грани. Высота ступени, т. е. толщина откладывающегося слоя, колеблется от долей ммдо нескольких ъ. На тонких двупреломляющих кристаллических пластинках ступени наблюдаются в поляризованном свете как границы областей различной окраски ( рис. 3 ). Тонкие ступени наблюдают методом декорирования, а высокие ступени - непосредственно, с помощью оптического или электронного микроскопов.