Тунис (столица Туниса)

Туни'с,столица Туниса, главный экономический и культурный центр страны, административный центр провинции Тунис. Расположен на западном берегу Тунисской бухты Средиземного моря, вокруг лагунного озера Тунис. Климат субтропический морской. Средне месячные температуры: января 10,2 °С, июля 25,6 °С. Осадков 444 ммв год. Население 970 тыс. чел. (1975, с пригородами). Узел железных и шоссейных дорог. Аэропорт международного значения. Порт (грузооборот с аванпортом Хальк-эль-Уэд 2,8 млн. тв 1974). Вывоз железной руды, фосфоритов, свинца, оливкового масла, фруктов, овощей. Предприятия пищевой, текстильной, металлообрабатывающей, химической, цементной, стеклянной, полиграфической, цветной металлургии и др. отраслей промышленности - в основном на Ю.-В., Ю. и С.-В. города.

  Как пригород Карфагена Т. известен за несколько веков до н. э. С конца 7 - начала 8 вв. н. э., после взятия (698) и окончательного разрушения арабами Карфагена, началось возвышение собственно Т. как крупного экономического и культурного центра Северной Африки. В 13-16 вв. столица восточно-магрибского государства Хафсидов. В 1535 захвачен и разграблен войсками испанского короля Карлоса I ( Карла V). В 1574 вошёл в состав Османской империи. В 1881-1956 административный центр французского протектората. В ноябре 1942 - мае 1943 оккупирован итало-германскими войсками. Центр национально-освободительного движения (важнейшие выступления в 1911, 1936, 1938, 1952-54). С 20 марта 1956 столица независимого Туниса.

  Средневековый Т. был вытянут овалом с С. на Ю.; от ограждавших его стен сохранились ворота Баб эль-Джадид (13 в.) и Баб эль-Менара (13 в.). Памятники архитектуры: Большая мечеть (мечеть Зейтуна, с 732, основное строительство - 856-857); мечети - эль-Халик (1375), Мелласин (1435), Юсуф Дея (1616), Сиди Махрез (с 1675); дворец Дар эль-Бей (конец 18-19 вв.); мавзолеи - Бени Хорасан (1093) и Хусейнидов (18 в.). Вокруг средневекового Т. с конца 19 в. интенсивно растут новые кварталы. Современная застройка ведётся преимущественно по проекту 1962-63 (болгарского архитектора Л. Тонев). В 20 в. сооружены университет (архитектор Б. Зерфюсс, В. Гропиус), Олимпийский комплекс (болгарский архитектор Н. Паскалев, Н. Чипев, инженер Г. Апостолов) - оба 1960-е гг.; отели: «Африка» (архитекторы К. О. Какуб, Ж. Кириакопулос), «Дю Лак» (1970-е гг.). Национальный музей Бардо (во дворце Бардо, 18-19 вв., античное и исламское искусство), Музей исламского искусства (во дворце Дар Хусейн, 18 в.).

  Тунисский университет, Национальная административная школа, Национальная консерватория музыки, танца и народного искусства. Научно-исследовательские учреждения: Центр по ядерным исследованиям, Национальный институт питания, Национальный институт ветеринарных исследований, институт Пастера, Национальный институт педагогических исследований, Национальный институт агрономических исследований и др. Национальная библиотека, Публичная библиотека, Муниципальный театр.

  Лит.:Revault J., Palais et demeures de Tunis (XVI et XVII siиcles), P., 1967; его же, Palais et demeures de Tunis (XVIII et XIX siиcles), P., 1971.

Тунис. План города.

Туниси Хайраддин

Туни'си,ат-Туниси Хайраддин (1826-1889), тунисский просветитель и государственный деятель 19 в.; см. Хайраддин ат-Туниси.

Тунисская Коммунистическая партия

Туни'сская Коммунисти'ческая па'ртия(ТКП; Хизб аш-Шуюий ат-Тунисий), создана в 1939 на базе существовавшей с 1920 Коммунистической федерации Туниса, входившей во Французскую коммунистическую партию. Тунисские коммунисты вели активную работу среди трудящихся, призывая их к борьбе против французского протектората, за независимость Туниса; им принадлежит заслуга распространения марксистских социалистических идей в Тунисе, 1-й съезд ТКП (20-21 мая 1939) призвал тунисский народ сплотиться для борьбы за национальную независимость. Съезд отметил, что главным препятствием на пути независимого развития угнетённых народов является наступление фашизма. В годы 2-й мировой войны 1939-45 ТКП последовательно боролась против фашизма и вишистского правительства Франции. В период оккупации Туниса итало-германскими фашистами войсками (ноябрь 1942 - май 1943) ТКП руководила вооружённой борьбой тунисского Движения Сопротивления. В послевоенные годы ТКП прилагала большие усилия для объединения всех прогрессивных и революционных сил Туниса, добиваясь единства антиимпериалистических действий с партией Новый дустур (см. Социалистическая дустуровская партия ) .В результате репрессий колониальных властей ТКП была ослаблена; к тому же она неверно оценила характер освободительной борьбы народа в 1952-54. С 1954 ТКП работала в легальных условиях и сыграла значительную роль в массовых выступлениях народа за отмену режима протектората, 6-й съезд ТКП (29-31 декабря 1957), собравшийся после получения Тунисом независимости (20 марта 1956), принял новую программу (первая принята в 1939) партии «За тунисский путь к социализму», 7-й съезд (25-27 марта 1962) в своих решениях поддержал проводившиеся в тот период прогрессивные мероприятия тунисского правительства, направленные на укрепление суверенитета и независимости Туниса. В январе 1963 ТКП и её печатный орган газета «Ат-Талиа» («Авангард») были запрещены властями, отдельные руководители партии подверглись репрессиям. В 1968 был организован судебный процесс над группой тунисских коммунистов. В трудных условиях ТКП продолжает бороться за единство действий революционных антиимпериалистических сил Туниса. В 1974 ТКП опубликовала программное заявление «За новый прогрессивный и демократический выбор», в котором дан анализ обстановки в Тунисе и ставится задача объединения патриотических сил народа в борьбе за демократизацию общественной жизни и социальный прогресс.

  Делегации ТКП участвовали в международных Совещаниях представителей коммунистических и рабочих партий (1957, 1960, 1969, Москва). ТКП одобрила принятые этими совещаниями документы. Первый секретарь ЦК ТКП - М. эн- Нафаа.

  Лит.:Иванов Н. А., Кризис французского протектората в Тунисе, М., 1971, гл. 9; La lutte clandestine du Party communiste de Tunisie centre les Hitleriens et les valets a. leur service. Documents. Tunis, 1951; Ennafaa М., Ou va la politique tunisienne de developpement?, [1967]; Pour une nouvelle alternative progressiste et democratique, [Tunis, 1974].

  О. В. Богушевич.

Тунисский Атлас

Туни'сский А'тла'с,общее название горных хребтов на С.-3. Туниса, ограниченных на Ю. долиной р. Меджерда. Т. А. является продолжением алжирской Тель-Атласа.В Т. А. входят так называемый Береговой Атлас, горы Крумирия, массивы Могодс, Хедиль и Беджава.

Тунисский пролив

Туни'сский проли'в,Сицилийский пролив, в Средиземном море, между островом Сицилия и побережьем Туниса. Наименьшая ширина 148 км;глубине в жёлобе, пересекающем пролив с С.-З. на Ю.-В., 300-800 м;наибольшая (около 1000-1200 м) -у входа в пролив с С. и Ю.-В.; много отмелей. В Т. п. расположен остров Пантеллерия.

Тунисцы

Туни'сцы,нация, основного население Туниса. Численность около 5,5 млн. чел. (1975, оценка). Почти все Т. говорят на восточно-магрибском (тунисском) диалекте арабского языка,небольшая часть (менее 1%) на острове Джерба и в южных горных районах - на местном диалекте берберского языка.Верующие Т. - преимущественно мусульмане-сунниты (малекитского толка). Большинство Т. занято в земледелии, жители внутренних степных областей, сохраняющие полукочевой образ жизни, - скотоводы.

  Т. складывались в результате смешения древних коренных жителей страны - берберов с проникавшими в Северо-Западную Африку арабами (начиная с 7 в.) в ходе формирования тунисского государства. Консолидации Т. в нацию способствовало национально-освободительное движение против французского колониального господства (1881-1956), укрепление политической и экономической независимости Туниса после провозглашения республики (1957). Об истории, хозяйстве и культуре Т. см. в ст. Тунис.

  Г. Н. Уткин.

Тункин Григорий Иванович

Ту'нкинГригорий Иванович [р. 30.9(13.10).1906, деревня Чамово Архангельской области], советский юрист-международник и дипломат, член-корреспондент АН СССР (1974), заслуженный деятель науки РСФСР (1972). Член КПСС с 1939. В 1935 окончил Московский юридический институт. С 1939 на дипломатической работе. В 1952-65 заведовал договорно-правовым отделом МИД СССР. Член Комиссии международного права ООН (1957-66), Кураториума Академии международного права, председатель Советской ассоциации международного права (с 1957). Почётный доктор Парижского университета. Награжден 5 орденами, а также медалями.

  Соч.: Вопросы теории международного права, М., 1962; Идеологическая борьба и международное право, М., 1967; Теория международного права, М., 1970.

Тункинская котловина

Тунки'нская котлови'на,система межгорных понижений на З. Бурятской АССР. Ограничена склонами хребта Хамар-Дабан на Ю. и Тункинских Гольцов на С. Общая длина около 200 км,ширина от 20 до 40-50 км.Состоит из ряда самостоятельных котловин - Мондинской, Хойтогольской, Туранской, Тункинской, Торской, разделённых возвышенными перемычками. Высота понижается с З. на В. от 1400 мдо 500-600 м.По дну котловин течёт р. Иркут и её притоки. На равнинах межгорных котловин преобладают степные (обычно распаханные) и лесостепные ландшафты с лиственнично-берёзовыми перелесками и сосновыми борами; на более возвышенных участках на дерново-подзолистых почвах - парковые лиственничные леса. Посевы зерновых и молочное животноводство. Минеральные источники (см. Нилова Пустынь ) .

Тункинские Гольцы

Тунки'нские Гольцы',горный хребет Восточного Саяна на З. Бурятской АССР. Длина около 180 км,высота до 3266 м.Сложен преимущественно кристаллическими сланцами и гранитами. Большая часть хребта Т. Г. представляет собой сильно расчленённые средневысотные горы; в пригребневой части - альпийский рельеф. На склонах до высоты 1800-2000 м -лиственничная и кедрово-лиственничная горная тайга, выше - горно-тундровая растительность.

Тунмэнхой

Тунмэнхо'й,Объединённый союз, Союзная лига, китайская революционная организация, созданная Сунь Ят-сеном в 1905 в Японии на базе Синчжунхоя и др. антиманьчжурских организаций. В Т. входили представители средней и мелкой городской буржуазии, китайских помещиков (выступавших против маньчжурского правительства), крестьянства. Программа Т., в основе которой лежали выработанные Сунь Ят-сеном принципы национализма, народовластия и народного благосостояния, включала следующие требования: «изгнать маньчжуров, восстановить суверенитет Китая, создать республику, осуществить уравнение прав на землю». Последнее требование трактовалось в духе утопических идей американского буржуазного экономиста Г. Джорджа (фиксация цены на землю и передача дифференциальной ренты государству). В программе, однако, отсутствовали чёткие и последовательные антифеодальные требования, не выдвигалась задача борьбы с империализмом. Т. являлся первой общекитайской буржуазно-революционной партией. Его отделения были созданы в каждой провинции Китая, а также во многих странах, где проживали китайские эмигранты. Т. издавал свой орган - журнал «Миньбао». С 1906 по 1911 Т. подготовил и провёл ряд вооружённых восстаний в Южном и Центральном Китае. Т. являлся ведущей политической силой Синьхайской революции,в результате которой была свергнута маньчжурская монархия и провозглашена республика. После Учанского восстания правые элементы Т. стали склоняться к компромиссу с лидером китайской контрреволюции Юань Ши-каем,отдав ему в конце концов власть. В феврале 1912, после отречения Цинской династии, Т. принял новую программу, в которой лозунг «уравнение прав за землю» был заменен абстрактным, расплывчатым требованием «проводить политику государственного социализма». Программа также предусматривала введение всеобщего образования, уравнение в политических правах мужчин и женщин, требование равноправия Китая в области международных отношений. В августе 1912 Т. объединился с несколькими политическими организациями либеральной буржуазии, в результате чего возникла партия гоминьдан.

  Лит.:Данилов В. И., «Объединенная революционная лига Китая» и ее роль в подготовке революции 1911-1912 гг., М., 1959; Ефимов Г. В., Буржуазная революция в Китае и Сунь Ят-сен. 1911-1913 гг., М., 1974.

  Е. А. Белов.

Туннель

Тунне'ль,см. Тоннель.

Туннельная эмиссия

Тунне'льная эми'ссия(автоэлектронная, холодная, электростатическая, полевая), испускание электронов твёрдыми и жидкими проводниками под действием внешнего электрического поля Евысокой напряжённости ( Е ~ 10 ⁷в/см) .Т. э. была обнаружена в 1897 Р. Вудом (США). В 1929 Р. Милликен и К. Лоритсен установили линейную зависимость логарифма плотности тока jТ. э. от обратной напряжённости электрического поля: 1/Е.В 1928-29 Р. Фаулер и Л. Нордхейм дали теоретическое объяснение Т. э. на основе туннельного эффекта.Т. э. - результат туннельного «просачивания» электронов сквозь потенциальный барьер,существующий на границе проводник - вакуум (или др. среда). Сильное электрическое поле снижает этот барьер и делает его достаточно проницаемым (то есть относительно тонким и невысоким). Распространённый термин «автоэлектронная эмиссия» отражает отсутствие энергетических затрат на возбуждение электронов, свойственных др. видам электронной эмиссии.В зарубежной литературе принят термин «полевая эмиссия» (field emission).

  Плотность тока Т. э. jсоставляет часть плотности потока электронов n,падающих изнутри проводника на барьер, и определяется прозрачностью барьера D:

. (1)

  Здесь d - доля энергии электрона, связанная с компонентой его импульса, нормальной к поверхности проводника, Е -напряжённость электрического поля у поверхности, е -заряд электрона. Из формулы (1) следует зависимость jот концентрации электронов в проводнике и их энергетического спектра, а также от высоты и формы барьера, определяющих его прозрачность D.

 Наиболее полно изучена Т. э . металловв вакуум. В этом случае величина jследует закону Фаулера - Нордхейма:

 (2)

  Здесь h - Планка постоянная, m -масса электрона, j - потенциал работы выхода металла, t(y) и J(y) - табулированные функции аргумента . Подставив значения констант и положив t ²( y) » 1,1, а J( y) » 0,95-1,03 y ²,получим из формулы (2) приближённое соотношение:

 (3)

(величины j, Еи j соответственно в а/см ², в/сми эв) .Значения lg jдля некоторых Еи j приведены в таблице.

  Формула (2) получена в предположениях, что температура Т= 0 К и что вне металла в отсутствие поля на электроны действуют только силы зеркального изображения (см. Работа выхода ) .Форма потенциального барьера для этого случая показана на рис. 1 . Прозрачность барьера Dможет быть рассчитана по методу Венцеля - Крамерса - Бриллюэна. Несмотря на упрощения, теория Фаулера - Нордхейма хорошо согласуется с экспериментом.

  На практике обычно измеряют зависимость тока I = jS( S- площадь эмитирующей поверхности) от напряжения V: Е =a V(a - так называемый полевой множитель). Т. э. металлов характеризуется высокими предельными плотностями тока до величин j ~10 ¹⁰ а/см ²,что объясняется теорией Фаулера - Нордхейма. Лишь при j~ 10 ⁶-10 ^-9 а/см ²имеют место отклонения от формулы (2), связанные с влиянием объёмного заряда или же с деталями формы потенциального барьера вблизи поверхности металла. Неограниченное повышение напряжения приводит при j ~10 ⁸-10 ¹⁰ а/см ²к электрическому пробою вакуумного промежутка и гибели эмиттера, которому предшествует интенсивная кратковременная взрывная эмиссия электронов.

  Т. э. слабо зависит от температуры. Малые отклонения от формулы (2) с ростом температуры Тпропорциональны T ²:

. (4)

  Формула (4) верна с точностью до 1% для приращений тока Ј 18%. Для больших изменений тока применяют более громоздкие формулы и графики, рассчитанные на ЭВМ. С ростом температуры и понижением Етак называемая термоавтоэлектронная эмиссия смыкается с термоэлектронной эмиссией,усиленной полем ( Шотки эффектом ) .

 Энергетический спектр электронов, вылетающих из металла при Т. э., узок ( рис. 2 ).

  Полуширина s распределения электронов по полным энергиям E(в эв) при Т =0 К определяется формулой:

 (5)

  При j = 4,4 эв s изменяется от 0,08 до 0,2 эв(для изменений jот 0 до 7). С повышением Тs _Т возрастает, в частности при 300 К (и тех же изменениях j) s _Т изменяется от 0,17 до 0,3 эв.Характер энергетического распределения электронов отклоняется от теоретического в случае сложной конфигурации Ферми поверхности или при наличии на поверхности металла адсорбированных атомов (особенно неметаллических). Если на поверхности металла есть адсорбированные органические молекулы (или их комплексы), то электроны проходят сквозь них, они играют роль волноводов для соответствующих волн де Бройля.При этом наблюдаются типичные для волноводов распределения электронной плотности по сечению волновода. Энергетические спектры электронов в этом случае отличаются аномалиями.

  Отбор тока при низких температурах приводит к нагреву эмиттера, так как вылетающие электроны уносят энергию в среднем меньшую, чем Ферми энергия,тогда как электроны, вновь поступающие в металл, имеют именно эту энергию (Ноттингема эффект). С возрастанием Тнагрев сменяется охлаждением (инверсия эффекта Ноттингема) при переходе через некоторую температуру, соответствующую симметричному (относительно энергии Ферми) распределению вышедших электронов по полным энергиям. При больших токах, когда эмиттер разогревается джоулевым теплом, инверсия эффекта Ноттингема (частично) препятствует лавинному саморазогреву и стабилизирует ток Т. э.

  Автоэлектронные эмиттеры изготавливают в виде поверхностей с большой кривизной (острия, лезвия, шероховатые края фольги и т.п.). В случае, например, острий с радиусом закругления 0,1-1 мкмнапряжения ~ 1-10 квобычно бывает достаточно для создания у поверхности острия поля Е~ 10 ⁷ в/см.Для отбора больших токов применяются многоострийные эмиттеры.

  Стабильность тока Т. э. обеспечивается постоянством распределения j и a вдоль поверхности эмиттера. Обе величины могут изменяться под влиянием адсорбции и миграции атомов как посторонних веществ, так и материала эмиттера. Локальные a возрастают при миграции материала поверхности в присутствии сильного электрического поля. В пространстве катод - анод и на поверхности анода электронный пучок создаёт положительные ионы, которые бомбардируют эммитер, разрушая его поверхность. Поэтому повышение стабильности Т. э. связано с улучшением вакуума и очисткой электродов, использованием импульсного напряжения, умеренным подогревом эмиттера для защиты от адсорбции остаточных газов и заглаживания дефектов в местах удара ионов. В сверхвысоком вакууме (где поверхность эмиттера остаётся чистой в течение часов или суток) была исследована Т. э. монокристаллов практически всех тугоплавких металлов, а также химических соединений с металлической электропроводностью ZrC, LaB ₆и др. Наиболее полно изучена Т. э. W, Мо и Re.

  Применения Т. э. металлов связаны с возможностью получения больших токов либо интенсивных электронных пучков. Холодные металлические катоды перспективны и используются в сильноточных устройствах: для получения рентгеновских вспышек или электронных пучков, выводимых наружу сквозь тонкую фольгу; для накачки в квантовых генераторах;для формирования электронных сгустков при коллективном ускорении тяжёлых ионов (см. Ускорители заряженных частиц ) .Нелинейность вольтамперной характеристики приборов с Т. э. используется в умножителях частоты и смесителях,в усилителях и детекторах сигналов СВЧ и т.д. Автоэлектронный эмиттер как интенсивный точечный источник электронов применяется в растровых электронных микроскопах.Он перспективен в рентгеновской и электронной микроскопии, в рентгеновских микроанализаторах и электроннолучевых приборах высокого разрешения. Автоэлектронные катоды перспективны в микроэлектронике и как чувствительные датчики изменения напряжения. Важное значение имеет также Т. э. из металла в диэлектрик (см. Диэлектрическая электроника ) .Сочетание автоэлектронного эмиттера и анода, совмещенного с люминесцирующим экраном, образует эмиссионный электронный микроскоп. На его экране можно наблюдать угловое распределение электронов Т. э. с острия при увеличении ~ 10 ⁵-10 ⁶и разрешающей способности 20-60 Е (см. Электронный проектор ) .

 Т. э. полупроводников изучена менее полно. Она характеризуются более сложными зависимостями плотности тока jот поля Еи j и энергетических спектров электронов. При Т. э. полупроводников электрическое поле, проникая в кристалл, смещает энергетические зоны и локально изменяет концентрации носителей заряда и их энергетические распределения. Кроме того в полупроводниках концентрация электронов проводимость меньше, чем в случае металлов, что ограничивает величину j.Внешнее воздействия, сильно влияющие на концентрацию электронов (температура, освещение и др.), также заметно изменяют j.Вольтамперные зависимости j( E) и энергетические спектры электронов отражают зонную структуру полупроводников. Ток, текущий через полупроводник, может перераспределять потенциал на образце и влиять на энергетическое распределение электронов.

  Туннельные полупроводниковые эмиттеры, реагирующие на свет, перспективны как чувствительные приёмники инфракрасного излучения.Многоострийные системы таких эмиттеров могут служить основой для мозаичных систем в преобразователях инфракрасных изображений. В некоторых случаях, когда вольтамперные характеристики полупроводника всецело определяются его объёмными свойствами, jслабо зависит от Еи j. При этом точечный не накаливаемый источник электронов может длительно и стабильно работать даже в относительно невысоком вакууме.

  Лит.:Wood R. W., «Phus. Rev.», 1897, v. 5,.№ 1; Millikan R. A., Lauritsen С. С., «Phys. Rev.», 1929, v. 33, № 4, р. 598; Fowler R. H., Nordheim L., «Proc. Poy. Soc.», 1928, ser. A, v. 119, № 781, p. 173; Nordheim L., «Phys. Zs.», 1929, № 7, s. 177; Елинсон М. И., Васильев Г. Ф., Автоэлектронная эмиссия, М., 1958; Ненакаливаемые катоды, под ред. М. И. Елинсона, М., 1974; Фишер Р., Нойман Х. Автоэлектронная эмиссия полупроводников, пер. с нем., М., 1971.

  В. Н. Шредник.

Рис. 2. Энергетический спектр электронов, испускаемых при туннельной эмиссии для разных температур Ти электрических полей Е; j = 4,5 эв.

Рис. 1. Потенциальная энергия uэлектрона вблизи поверхности металла ( х- расстояние от поверхности); Е ₁- в отсутствии электрического поля; Е ₂- в однородном внешнем электрическом поле; Е ₃- суммарная потенциальная энергия электрона; Е _F- энергия Ферми металла; Х ₂- Х ₁- ширина потенциального барьера в присутствии поля.

Туннельный диод

Тунне'льный дио'д,двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, в котором имеется очень узкий потенциальный барьер, препятствующий движению электронов; разновидность полупроводникового диода.Вид вольтамперной характеристики (ВАХ) Т. д. определяется главным образом квантово-механическим процессом туннелирования (см. Туннельный эффект ) ,благодаря которому электроны проникают сквозь барьер из одной разрешенной области энергии в другую. Изобретение Т. д. впервые убедительно продемонстрировало существование процессов туннелирования в твёрдых телах. Создание Т. д. стало возможно в результате прогресса в полупроводниковой технологии, позволившего создавать полупроводниковые материалы с достаточно строго заданными электронными свойствами. Путём легирования полупроводника большим количеством определённых примесей удалось достичь очень высокой плотности дырок и электронов в р - и n- областях, сохранив при этом резкий переход от одной области к другой (см. Электронно-дырочный переход ) .Ввиду малой ширины перехода (50-150 Е) и достаточно высокой концентрации легирующей примеси в кристалле, в электрическом токе через Т. д. доминируют туннелирующие электроны. На рис. 1 приведены упрощённые энергетические диаграммы для таких р - n -переходов при четырёх различных напряжениях смещения U.