Современная электронная библиотека ModernLib.Net

Патентование изобретений в области высоких и нанотехнологий

ModernLib.Net / Дмитрий Юрьевич Соколов / Патентование изобретений в области высоких и нанотехнологий - Чтение (Ознакомительный отрывок) (стр. 3)
Автор: Дмитрий Юрьевич Соколов
Жанр:

 

 


В том случае, если планируется получение серии патентов в данной области, то из-за глубокой взаимосвязи процесса и устройства его реализации целесообразно в первичном патенте защищать комплекс, имеющий два независимых пункта формулы изобретения (устройство и способ). Вторичные патенты при этом уже могут иметь один независимый пункт формулы изобретения (чаще всего способ), но с обязательным подробным раскрытием устройства реализации способа. Например, в патенте [15] на способ нанодиспергирования было приведено восемь чертежей устройства без внесения его признаков в независимый пункт формулы изобретения. Это было целесообразно, так как устройство достаточно полно объясняло процесс, но при этом состояло из известных на тот момент узлов, используемых по прямому назначению. Дополнительная простота патентования нанодиспергирования связана со сложностью изготовления нанодиспергаторов, возникающей из-за возможного кавитационного разрушения элементов конструкции. Используя принцип ТРИЗа «обратить вред в пользу», можно разрушающие свойства кавитации направить на удаление отложений на элементах конструкции. Дело в том, что при нанодиспергировании нефти в зазоре 3 и на краях щелей 2 и 4 могут образовываться солевые отложения, при нанодиспергировании молока зазор 3 может забиваться жиром и т. п. Технически добиться, чтобы конструкция не разрушалась, а разрушались только отложения непросто, но с точки зрения защиты интеллектуальной собственности перевод отрицательного эффекта в дополнительный положительный облегчает получение патента. Более того, в этом случае всегда есть возможность не раскрывать ноу-хау, а именно не приводить точного значения энергии диспергирования, позволяющей одновременно получать необходимый размер частиц, не разрушать конструкцию и оказывать воздействия на паразитные отложения.

Литература

1. Feiman R.P. Theres Plenty of Room at the Bottom. An Invitation to Enter a New Field of Physics. – Engineering and Science, 1960, vol. 23, № 5, p. 22–36.

2. Tanigychi N. On the Basic Concept of Nanotechnology // Proc. Int. Conf. Prod. Eng., Part 2, Tokyo, 1974. – p. 18–23.

3. Gleiter, H. Deformation of Polycrystals: Mechanism and microstructures // Proc. of 2nd RISO Symposium on Metallurgy and Materials Science. – Roskilde, 1981, p. 15–21.

4. Удовицкий В.Г. О терминологии, стандартизации и классификации в области нанотехнологий и наноматериалов. – ФИП, 2008, т. 6, № 3–4, с. 193–201.

5. Заявка RU2007145957. Способ получения водорастворимых форм биологически активных веществ. 12.12.2007.

6. Заявка PCT/RU2009/000191. Состав для придания волокнистым материалам антимикробных и фунгицидных свойств.

7. Заявка W02006091291. Apparatus and process for carbon nanotube growth. 13.01.2006.

8. Патент TW238421B. Conductive material using carbon nanotubes and process for preparing same. 18.07.2002.

9. Заявка JP2005187309. Method and apparatus for manufacturing carbon nanotube. 09.02.2004.

10. Абрамян А.А., Балабанов В.И., Беклемышев В.И., Вартанов РВ., Махонин И.И., Солодовников В.А. Основы прикладной нанотехнологии. – М.: Издательский дом «Магистр-пресс», 2007. – 197 с.

11. Заявка RU2007131065. Устройство роста углеродных нанотрубок методом пиролиза этанола. 15.08.2007.

12. Шека Е.Ф. Химическая теория и расчеты наноуглеродов: фуллерены, нанотрубки, графены. Нанонаука и нанотехнологии. Энциклопедия систем жизнеобеспечения. – М.: Издательство ЮНЕСКО, 2009, с. 415–444.

13. Заявка RU2009142861. Способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок. 23.11.2009.

14. Патент RU2340656. Способ получения нанодисперсной водотопливной эмульсии и устройство для его осуществления. 01.06.2006.

Примечания

1

Четвертая часть гражданского кодекса РФ об интеллектуальной собственности.

Конец бесплатного ознакомительного фрагмента.

  • Страницы:
    1, 2, 3